内存市场正经历显著的价格攀升。美国投资银行 Jefferies 的最新预测显示，到 2026 年第三季度，内存价格预计将环比增长 40% 至 50%，随后在第四季度继续上涨 30% 至 40%。进入 2027 年，预计全年同比涨幅将达到 40% 至 45%，且这种上涨趋势至少会持续到 2028 年才会逐渐放缓。

当前，全球三大 DRAM（动态随机存取存储器）制造商三星、SK 海力士和美光的产能已显紧张，并且约有一半的现有产能受到“长期协议”的约束。

与此同时，扩产计划也在同步进行。美光已在美国等地投入超过 1500 亿美元用于新建产能。三星电子和 SK 集团近期也公布了一项涉及半导体和人工智能基础设施的十年期投资计划，总额高达 2000 万亿韩元，约合 1.3 万亿美元。综合来看，这三家存储原厂的总投资预计将超过 1.5 万亿美元。

值得注意的是，这三巨头占据了超过 90% 的市场份额，也因此引发了反垄断调查。美国律所 Hagens Berman 指控它们涉嫌合谋操纵价格，人为造成供应短缺。

存储原厂加大投资力度

根据媒体报道，三星和 SK 集团在人工智能基础设施方面的投资项目涵盖了半导体、显示器、电池和数据中心等多个领域，其中半导体是重点投入方向。

三星计划在韩国的光州和全罗南道地区建设四至五座晶圆厂，预计投入约 300 万亿韩元。此外，其龙仁半导体集群将新建六座晶圆厂，投资额达 360 万亿韩元，原计划于 2048 年完工，现已提前至 2034 至 2035 年。位于忠清南道天安和温阳的先进封装基地将获得超过 56 万亿韩元的投资，定位为封装研发与生产中心。

在半导体领域之外，AI 数据中心的投资将超过 350 万亿韩元，主要选址在忠清南道牙山。

SK 海力士计划在光州建设四至五座晶圆厂，并在忠清北道清州扩建 NAND 闪存工厂，相关投资规模约为 600 万亿韩元。

在此之前，SK 海力士已启动部分扩产项目，但该公司并未明确这些项目是否包含在本次公布的新投资计划内。例如，SK 集团会长崔泰源曾表示，位于清州的 M15X 晶圆厂预计于 2026 年下半年开始运营，初期月产能为 4 万片，并计划在 2027 年增至约 8 万片。

此外，龙仁半导体集群的建设也在加速推进，一期项目预计于 2027 年初完工，包含六个洁净室，每个洁净室将逐步增加 6 万片的月产能。仅一号工厂就可能在 2030 年上半年之前增加 36 万片的月产能 DRAM。

美光的扩产计划在全球同步进行，其中美国本土是核心。在第三财季业绩电话会议上，CFO 马克·墨菲（Mark Murphy）表示，第四财季的资本支出指引约为 100 亿美元，2026 财年全年将达到 270 亿美元。他同时预告，2027 财年的季度资本支出将高于 2026 财年第四季度的水平，其中超过一半的同比增长将来自建设性资本支出。

目前，美光正在美国爱达荷州博伊西总部园区建设两座晶圆厂 ID1 和 ID2，总投资 500 亿美元，这是美国有史以来建造的最大洁净室之一。ID1 预计于 2027 年年中产出首批 DRAM 晶圆，包括用于 HBM 的基础芯片。ID2 预计在 2028 年底前投产。

在纽约州锡拉丘兹，美光投资 1000 亿美元的晶圆厂集群是纽约州历史上最大的单笔私人投资，已于 2026 年 1 月动工。位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂已开始生产 1-alpha DDR4 技术产品，主要满足汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。

在亚洲，日本广岛的新建 DRAM 晶圆厂投资为 96 亿美元，已引入 EUV 设备。在中国台湾地区收购的现有晶圆厂预计将于 2027 年年中实现批量产品出货，比预期提前约一个季度。附近规模相当的第二座洁净室也已开建，将支持 EUV 设备。新加坡将成为美光的先进封装卓越中心，重点扩大 HBM 封装产能，预计于 2027 年上半年开始贡献收入。当地新建的 NAND 晶圆厂预计在十年内投资约 240 亿美元。

美光首席财务官梅赫罗特拉特别提到，美光近期与 ASML 签署了一项多年期 EUV 供应协议，为下一代 1-delta 节点及更先进工艺的生产奠定基础。

这三家公司的投资策略有一个共同点：都在进行扩产，但采取的是延长周期、分摊负担的方式，没有一家押注于短期爆发。

美光首席商务官桑杰（Sanjay Mehrotra）在第三财季电话会议上解释称，整个行业都在努力增加供应，但扩产速度受到晶圆厂建设周期长、设备交付延迟、熟练工人短缺以及能源和水电基础设施不足等因素的制约。他将这些因素统称为“结构性约束”，并认为在这些约束下，未来两到三年内，供应端的紧张状况可能难以缓解。

HBM 成为战略关键

与传统 DRAM（动态随机存取存储器）相比，真正让下游厂商担忧的是 HBM（高带宽存储器）。这种堆叠式高带宽内存的需求逻辑与以往所有内存品类都截然不同。

今年 6 月，英伟达 CEO 黄仁勋在首尔与 SK 集团会长崔泰源会面时表示，SK 海力士到 2030 年将存储晶圆产能翻倍的计划“远远不够”。他透露，英伟达已从 SK 海力士采购，年采购额达数十亿美元，且这一数字还将大幅增长。

分析师 fin 在《AI 半导体终局推演》中测算，每张 GPU 的 HBM 容量需求每年增长约 40%，而供给端的产能增量仅为 14%。DRAM 的单元密度增速仅为 9%，导致需求与供给的差距日益扩大。这意味着，DRAM 的供给增速仅为 24%，与需求增速的差距达到 16%。

更重要的是，传统 DRAM 是标准化产品，在周期下行时需求暴跌，价格随之暴跌，导致行业巨亏。HBM 则成功规避了这一风险。fin 认为，虽然 HBM 堆叠的仍是 DRAM，但其 Base die（基底裸片）具有定制化属性。客户需要与存储原厂签订长期合同锁定产能，同时 AI 需求的可预测性更强。即使价格下跌，也会刺激客户增加配置量，形成价格支撑。此外，由于技术更新换代快，旧产品贬值快，存储原厂倾向于争取 fabless 客户的下一代技术认证，而非在存量市场展开价格战。

fin 分析指出，HBM 已从过去的“赚一年亏三年”的传统周期模式，转变为“上行赚得多、下行亏损有限”的成长性周期。他认为，只要 Transformer 架构中的注意力机制不被颠覆，HBM 的指数级需求增长将持续下去。

韩国产能争夺战

今年 6 月，黄仁勋在韩国与 SK 集团会长崔泰源、SK 海力士 CEO 郭鲁正等举行了会谈。会后，黄仁勋向媒体确认，英伟达新推出的 Vera CPU 将采用 SK 海力士的 DRAM，双方正在为下半年和明年的“超大规模合作”做准备。同日，英伟达与 SK 海力士宣布了一项多年期技术合作协议，涉及 AI 超级计算机、机器人、数字孪生和半导体制造等领域。

黄仁勋并非唯一关注韩国内存产能的科技巨头。今年 3 月，AMD CEO 苏姿丰在其 2014 年上任以来的首次韩国之行中，第一站就访问了三星电子位于京畿道平泽的园区。双方签署了谅解备忘录，内容涵盖多个层面：三星将为 AMD 下一代 AI 加速器 MI455X 提供 HBM4 内存，并为代号为“Venice”的第六代 EPYC 处理器开发定制化 DRAM 方案。

科技巨头们纷纷涌向首尔，本质上是因为内存正从一种可按需采购的通用组件，转变为一种需要 CEO 亲自出马去争取的战略资源。

美光态度强硬，苹果受影响

在此轮涨价潮中，美光的态度比三星和 SK 海力士更为强硬。在发布创纪录的第三财季业绩后，美光首席商务官苏米特·萨达纳（Sumit Sadana）在接受《华尔街日报》采访时，罕见地回顾了过去。

他透露，在上一次行业低迷期，美光之所以未能进行扩产投资，部分原因是某些客户“在定价上非常激进”，“以最低价采购”，将供应商的毛利率压至负数。他表示，美光当时就曾告知这些客户，这种做法“没有建设性”。由于极差的定价和利润率，2023 年许多行业投资被直接叫停。

尽管没有点名，但美光“抱怨”的客户普遍被认为是苹果公司。苹果长期以来以其与供应商强硬的议价能力而闻名，通过长期采购合同锁定低价，最大程度地压低自身成本，同时将终端产品价格推高。

然而，这种强硬的供应链策略间接引发的存储短缺，也开始反噬苹果自身。苹果 CEO 蒂姆·库克（Tim Cook）近期承认，本轮内存短缺是“百年一遇的洪水”，涨价“不可避免”。此言论发布后不久，苹果便对其 MacBook、iPad、Apple TV 和 Vision Pro 等产品线进行了全面提价。当日，苹果市值蒸发了 2650 亿美元。

据《金融时报》报道，苹果正在悄悄游说华盛顿，希望获得许可向中国存储芯片制造商长鑫采购内存。苹果认为，长鑫未深度参与 AI 用 HBM 的供应竞争，理论上可以提供更便宜的内存。

市场研究机构 Gartner 分析师兰吉特·阿特瓦尔（Ranjit Atwal）对此评价道：“即使是苹果也无法幸免，尽管他们拥有所有的专业知识和长期规划，但这已经超出了他们能够限制影响的能力。”

目前普遍预测，最快到 2028 年之后，存储短缺问题才能有所缓解。然而，一旦权力结构发生转变，很难再回到原点。在内存市场，买方可能无法再获得过去那种“予取予求”的议价能力，内存的“大宗商品时代”正在落幕，而终端厂商尚未完全适应这一趋势。

本文由金鹿特别编译，腾讯科技苏扬撰写，徐青阳编辑，36氪经授权发布。